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干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
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干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
A、稍高于
B、大大于
C、等于
D、没有要求
时间:2021-12-26 20:21
关键词:
集成电路制造工艺员(三级)
集成电路制造工艺员
答案解析
A
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