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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
A、K
B、Na
C、K
D、Ca
E、Na
时间：2021-12-26 03:10
关键词：
基础综合第二章生理学
专业综合第十二章
答案解析
C
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心室肌动作电位3期复极化过程中，膜对其通透性增高的离子为：
⒚EPSP 的产生是后膜对那种离子通透增大引起的( )
当兴奋性递质与突触后膜结合后，引起突触后膜：
GABA与突触后膜的受体结合后，其结果是：
神经纤维的阈电位是指引起膜对下列哪种离子的通透性突然增大的临界膜电位值( )
最新问题
⒚EPSP 的产生是后膜对那种离子通透增大引起的( )
当兴奋性递质与突触后膜结合后，引起突触后膜：
GABA与突触后膜的受体结合后，其结果是：
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（）
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na++通透性提高，将引起后膜的电位变化是( )
兴奋性突触后电位的产生是由突触前膜兴奋并释放化学递质作用于突触后膜，使突触后膜对一切小离子（包括Cl-、K+，尤其是Cl-）的通透性增高，产生局部去极化。
发生突触后抑制时，在突触后膜上可产生。
终板电位是 Ach作用于接头后膜，使后膜对离子特别是（）通透性增加，所引起的（）。
突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触（）
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