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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。
A、晶体缺陷
B、温度
C、杂质浓度
D、掺杂工艺
时间：2022-01-05 16:20
关键词：
模拟电路
答案解析
C
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在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。( )
在N型半导体中参与导电的多数载流子是（）。
在P型和N型半导体中多数载流子分别是
N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____ 。(本40分
空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
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自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）N型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是。
在P型半导体中（）是多数载流子；在N型半导体中电子是多数载流子。
N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。
在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。
PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
在P型半导体中，（）是多数载流子。
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