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电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
时间:2022-01-02 10:19
关键词:
电子电路
电子与通信技术
答案解析
GTO
相关问题
功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )
可关断晶闸管导通后,在控制极加入负脉冲,晶闸管处于( )状态
电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为:()、()、功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
电力晶体管GTR内部电流是由()形成的。
对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的()。
最新问题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。
双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
同步信号为锯齿波的晶体管触发电路,以()的方法实现晶闸管触发脉冲的移相。
电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
由于集成电路、晶体管等技术的诞生,电子产品大量涌向市场,这里影响电子产品供给的主要因素是()
根据功率放大电路中晶体管()在交流负载线上的位置不同,功率放大电路可分为3种。
用正脉冲使可关断晶闸管导通,用()使可关断晶闸管关断。
对加反向电压后即可关断的晶闸管,统称为可关断晶闸管。
可关断晶闸管的英语缩写是()。
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